Silizium Gleichrichter Diode 1N5408

Silizium Gleichrichterdiode 1N 5408

Technische Daten:

• Nennstrom 3A
• periodische Spitzensperrspannung VRRM: 1000V
• Kunststoffgehäuse DO-201
• Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
• Gewicht: 1g
• Stoßspitzensperrspannung VRSM: 1000V
• Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Lat TA=50°C IFAV: 3A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
• Periodischer Spitzenstrom f>15Hz IFRM: 30A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
• Grenzlastintegral t>10ms TA=25°C i²t : 200A²s
• Stoßstrom für eine 50Ht Sinus Halbwelle TA=25°C IFSM: 200A
• Sperrschicht- und Lagertemperatur Tj und Ts: -50°C - +175°C
• Durchlaßspannung Tj=25°C IF=3A VF: <1,2V
• Sperrstrom Tj =25°C VR=VRRM IR: <10 μA
• Wärmewiderstand Sperrschit - umgebende Luft RthA:<25K/W (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)