Si Allzweck Diode 1N4148 DO35 150mA

Nennstrom 150mA
periodische Spitzensperrspannung VRRM: 75V
Stoßspitzensperrspannung VRSM: 100V
Glasgehäuse DO35
Gewicht: 0,13g
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Lat TA=100°C IFAV: 150mA (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
Verlustleistung PTOT: 500mW (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
Stoßstrom für eine 50Ht Sinus Halbwelle TA=25°C IFSM: 500mA
Sperrschicht- und Lagertemperatur Tj und Ts: -50°C - +200°C
Durchlaßspannung Tj=25°C IF=10mA VF: <1V
Sperrstrom Tj =25°C VR=20V IR: <25 nA
Sperrverzug <4ns
Wärmewiderstand Sperrschit - umgebende Luft RthA:<0,3K/mW (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)

Diotec Semiconductor AG
Kreuzmattenstrasse 4
79423 Heitersheim
Deutschland

E-Mail: mail@diotec.com

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