!!! KEIN VERSAND vom 07.10.26 - 13.10.26 !!!
Wegen Systemumstellung & Weiterbildung sind wir in der Zeit vom 07.10.2026 bis 13.10.2026 nur per Email erreichbar und es findet KEIN Versand statt.
Alle Bestellungen die bis zum 06.10.26 eingehen, verfügbar & bezahlt sind, werden noch bearbeitet und versendet. Spätere Bestellungen und Zahlungseingänge werden erst wieder ab dem 14.10.26 bearbeitet & versendet.
!!! Bitte beachten Sie das bei Ihrer Bestellung !!!
Silizium Gleichrichter Diode 1N4004
Silizium Gleichrichter Diode 1N4004
Silizium Gleichrichterdiode 1N 4004
Technische Daten:
- Nennstrom 1A
- periodische Spitzensperrspannung VRRM: 400V
- Kunststoffgehäuse DO-41
- Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
- Gewicht: 0,4g
- Stoßspitzensperrspannung VRSM: 400V
- Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Lat TA=100°C IFAV: 0,75A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Lat TA=75°C IFAV: 1A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Periodischer Spitzenstrom f>15Hz IFRM: 10A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Grenzlastintegral t>10ms TA=25°C i²t : 12,5 A²s
- Stoßstrom für eine 50Ht Sinus Halbwelle TA=25°C IFSM: 50A
- Sperrschicht- und Lagertemperatur Tj und Ts: -50°C - +175°C
- Durchlaßspannung Tj=25°C IF=1A VF: <1,1V
- Sperrstrom Tj =25°C VR=VRRM IR: <5 μA
- Sperrstrom Tj =100°C VR=VRRM IR: <50 μA
- Wärmewiderstand Sperrschit - umgebende Luft RthA:<45K/W (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
Diotec Semiconductor AG
Kreuzmattenstrasse 4
79423 Heitersheim
Deutschland
E-Mail: mail@diotec.com
Leider sind noch keine Bewertungen vorhanden. Seien Sie der Erste, der das Produkt bewertet.
