Si Allzweck Diode 1N4448 DO35 150mA
Si Allzweck Diode 1N4448 DO35 150mA
- Nennstrom 150mA
- periodische Spitzensperrspannung VRRM: 75V
- Stoßspitzensperrspannung VRSM: 100V
- Glasgehäuse DO35
- Gewicht: 0,13g
- Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Lat TA=100°C IFAV: 150mA (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Verlustleistung PTOT: 500mW (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Stoßstrom für eine 50Ht Sinus Halbwelle TA=25°C IFSM: 500mA
- Sperrschicht- und Lagertemperatur Tj und Ts: -50°C - +200°C
- Durchlaßspannung Tj=25°C IF=100mA VF: <1V
- Sperrstrom Tj =25°C VR=20V IR: <25nA
- Sperrverzug <4ns
- Wärmewiderstand Sperrschit - umgebende Luft RthA:<0,3K/mW (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
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