Silizium Gleichrichter Diode BA159
Silizium Gleichrichter Diode BA159
Silizium Gleichrichterdiode BA 159
Technische Daten:
- Nennstrom 1A
- periodische Spitzensperrspannung VRRM: 1000V
- RMS Spannung VRMG: 700V
- Kunststoffgehäuse DO-41
- Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
- Gewicht: 0,4g
- Stoßspitzensperrspannung VRSM: 1000V
- Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Lat TA=50°C IFAV: 1A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Periodischer Spitzenstrom f>15Hz IFRM: 10A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Grenzlastintegral t>10ms TA=25°C i²t : 6 A²s
- Stoßstrom für eine 50Ht Sinus Halbwelle TA=25°C IFSM: 35A
- Sperrschicht- und Lagertemperatur Tj und Ts: -50°C - +175°C
- Durchlaßspannung Tj=25°C IF=1A VF: <1,3V
- Sperrstrom Tj =25°C VR=VRRM IR: <5 μA
- Sperrstrom Tj =125°C VR=VRRM IR: <100 μA
- Kapazität bei f-1Mhz VR=1000V Ctot 1,9pF
- Sperrverzug IR=1A to/auf IR =0.25A Trr <300ns
- Wärmewiderstand Sperrschit - umgebende Luft RthA:<45K/W (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
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